На прошедшей неделе компания Intel выступила с рассказом о своих планах по развитию памяти типа 3D NAND, из которых стало ясно, что этот производитель делает ставку на технологию плавающего затвора, с помощью которой планирует в следующем году освоить выпуск 144-слойной памяти типа QLC. Принято считать, что ещё недавно выступавшая в роли партнёра Intel компания Micron отдаёт предпочтение технологии изготовления ячеек памяти с ловушкой заряда, но опубликованный на днях квартальный отчёт Micron Technology позволил убедиться, что это не совсем так. Источник изображения: Micron Technology