Компания Samsung сообщила, что разработала первые в индустрии модули оперативной памяти стандарта DDR5 объёмом 512 Гбайт, использующие технологию HKMG (High-K Metal Gate), которая предусматривает использование диэлектриков с высоким значением диэлектрической константы и металлизированных затворов. Новый вид памяти рассчитан на серверные системы, которые будут поддерживать ОЗУ стандарта DDR5. Такая поддержка ожидается, например, у новых процессоров AMD EPYC (Genoa, Zen 4) и Intel Xeon (Sapphire Rapids). Каждый регистровый (RDIMM) модуль оперативной памяти Samsung DDR5 объёмом 512 Гбайт оснащён тридцатью двумя 16-гигабитными восьмислойными чипами памяти (8-Hi) объёмом 16 Гбайт каждый. Производитель пока не сообщает максимальную скорость передачи данных, которую поддерживают её новые модули памяти. Однако это объясняется просто — компания пока не в праве делиться особенностями и спецификациями серверных платформ нового поколения.