В прошлом году пути-дорожки компаний Intel и Micron окончательно разошлись. Каждая из них приступила к самостоятельной разработке как памяти 3D XPoint, так и многослойной флеш-памяти 3D NAND. Что там с памятью 3D XPoint, пока не ясно, но с проектированием 3D NAND секретов нет. Intel осталась на старой архитектуре ячейки с плавающим затвором, а Micron перешла на ячейку с ловушкой заряда. В ходе последней отчётной квартальной конференции глава Micron Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra) сообщил, что память 3D NAND на новой архитектуре ячейки компания начнёт выпускать в текущем квартале с получением первой выручки от этого в следующем квартале. Добавим, это будут 128-слойные микросхемы. Тем самым Micron не только перейдёт на новую архитектуру ячеек, но также войдёт в клуб производителей 3D NAND с числом активных слоёв свыше 100. Вне этого «клуба» останется только Intel.