Менее года понадобилось компании SK Hynix, чтобы перейти от этапа завершения разработки памяти HBM2E к началу её массового производства. Но главное даже не эта поразительная оперативность, а уникальные скоростные характеристики новых чипов HBM2E. Пропускная способность микросхем HBM2E SK Hynix достигает 460 Гбайт/с на каждую микросхему, что на 50 Гбайт/с превышает прежние показатели. Значительный рывок производительности памяти типа HBM должен произойти при переходе на память третьего поколения или HBM3. Тогда скорость обмена поднимется до 820 Гбайт/с. Пока же пробел будут заполнять чипы компании SK Hynix, скорость обмена по каждому выводу которых составляет 3,6 Гбит/с. Каждая такая микросхема собирается из восьми кристаллов (слоёв). Если учесть, что в каждом слое расположен 16-Гбит кристалл, то общая ёмкость новых микросхем составляет 16 Гбайт.