Чипы флеш-памяти типа NAND получат более 600 слоёв по мере развития технологий памяти — об этом заявил исполнительный директор SK Hynix Ли Сок Хи (Lee Seok-hee) на международной конференции International Reliability Physics Symposium (IRPS), организованной Институтом инженеров электротехники и электроники (IEEE). Yonhap